单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)760mA(Tj)21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
33 毫欧 @ 10A,10V360 毫欧 @ 350mA,4.5V3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1.2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.1 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 10 V156 pF @ 5 V550 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)301mW(Tj)4.1W(Ta),29.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
EMT3F(SOT-416FL)PowerPAK® SO-8SC-75,SOT-416
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-75,SOT-416SC-89,SOT-490
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
31,768
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
175,015
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61447
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
760mA(Tj)
1.8V,4.5V
360 毫欧 @ 350mA,4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
PowerPAK SO-8
SI7454DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,479
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.09302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
21A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
4.1W(Ta),29.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。