单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Micro Commercial CoonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）220mA（Ta）92A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.7 毫欧 @ 46A，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA1.5V @ 100µA2.4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V13 pF @ 5 V2500 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）960mW（Ta），81W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
412,233
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 323
2SK3018-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Micro Commercial Co
49,817
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60972
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
102,310
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.59593
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
92A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 46A，10V
2.4V @ 200µA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 20 V
-
960mW（Ta），81W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。