单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 1.5A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V606 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）600mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-323X1-DFN1616-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUFDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
293,118
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53872
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
X1-DFN1616-6
DMN6070SFCL-7
MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Diodes Incorporated
1,773
现货
15,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23767
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4V，10V
85 毫欧 @ 1.5A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。