单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）4A（Ta）40A（Ta），285A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V3.3V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1mOhm @ 50A， 10V55 毫欧 @ 4A，10V60 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.8V @ 250µA2.8V @ 747µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4.5 V4.34 nC @ 4.5 V83 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
278 pF @ 15 V390 pF @ 15 V6000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta）1.4W（Ta）3W（Ta），150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLSOT-23-3SOT-323
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerTDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3402
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
12,874
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
55 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
4.34 nC @ 4.5 V
±12V
390 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
2,559
现货
1 : ¥19.05000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.27817
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Ta），285A（Tc）
6V，10V
1mOhm @ 50A， 10V
2.8V @ 747µA
83 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 20 V
-
3W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
SOT-323
DMN3061SWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
10,462
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.54657
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.7A（Ta）
3.3V，10V
60 毫欧 @ 3.1A，10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。