单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiTaiwan Semiconductor Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）10A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 8A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V23 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V1730 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
280mW（Tj）2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPSC-70-3（SOT323）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
2V7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
60,591
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50025
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
4,941
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.05585
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
1730 pF @ 15 V
-
2.5W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。