单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）23A（Ta），157A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
42 pF @ 10 V4120 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.8W（Ta），166W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）CST3C
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H801NT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
onsemi
1,490
现货
1 : ¥21.92000
剪切带（CT）
1,500 : ¥10.39960
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
23A（Ta），157A（Tc）
10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），166W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
17,835
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.34192
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
CST3C
SC-101，SOT-883
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。