单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-AlphaMOSTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.15A(Ta)9A(Ta),23A(Tc)18A(Tj)30A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 9A,10V36.6 毫欧 @ 10A,10V71 毫欧 @ 5A,10V250 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 10 V16.4 nC @ 10 V25 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
773 pF @ 50 V1170 pF @ 50 V1470 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
730mW(Ta)4.1W(Ta),28W(Tc)65W(Tc)91W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-DFN-EP(3.3x3.3)LFPAK33SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
8-PowerWDFNSOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
48,860
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.73059
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tj)
10V
71 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK33
PSMN040-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
11,002
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.34433
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tj)
10V
36.6 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 50 V
-
91W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
SOT-23-3
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Vishay Siliconix
8,850
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.58518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.15A(Ta)
10V
250 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
-
-
730mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-DFN-EP
AON7292
MOSFET N-CH 100V 9A/23A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
210,177
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.80279
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
9A(Ta),23A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 9A,10V
2.6V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1170 pF @ 50 V
-
4.1W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。