单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）1.2A（Ta）2.8A（Ta）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 12A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V250 毫欧 @ 910mA，10V2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 10 V5 nC @ 10 V21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28.5 pF @ 30 V85 pF @ 25 V130 pF @ 10 V1125 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
440mW（Ta）540mW（Ta）660mW（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-323TO-252（DPAK）
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
70,806
现货
11,070,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.42983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
1.8V，5V
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
440mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
336,969
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60082
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
629,944
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79551
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
161,461
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。