单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
HEXFET®TrenchP™
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140A（Tc）171A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.9 毫欧 @ 103A，10V9 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
200 nC @ 10 V227 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10470 pF @ 50 V13500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
298W（Tc）517W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247（IXTH）TO-247AC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP4568PBF
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
Infineon Technologies
1,379
现货
1 : ¥65.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
171A（Tc）
10V
5.9 毫欧 @ 103A，10V
5V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±30V
10470 pF @ 50 V
-
517W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO247
Littelfuse Inc.
245
现货
1 : ¥80.21000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
140A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±15V
13500 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。