单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
45 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）2.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V190 毫欧 @ 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 10 V300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TUMT3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式3-SMD，扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,147,737
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86940
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2.1A（Ta）
2.5V，4.5V
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
TUMT3
RTF016N05TL
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Rohm Semiconductor
29,503
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
1.6A（Ta）
2.5V，4.5V
190 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.5V @ 1mA
2.3 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。