单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）4A（Ta）10A（Ta）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 15A，10V20 毫欧 @ 4A，10V52 毫欧 @ 4A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.7 nC @ 10 V20.4 nC @ 4.5 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+20V，-25V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.6 pF @ 25 V464 pF @ 15 V1150 pF @ 15 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）1.25W（Ta）1.4W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）PowerPAK® 1212-8SOT-23-3
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
829,125
现货
4,989,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64175
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
26,975
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4V，10V
20 毫欧 @ 4A，10V
2.2V @ 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V，-25V
1150 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
57,732
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
DMP510DL-7
MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
50,982
现货
2,472,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48933
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±30V
24.6 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。