单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）80A（Tc）174A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 87A，10V7 毫欧 @ 40A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 25µA3.8V @ 50µA4.6V @ 264µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 25 V2700 pF @ 50 V8000 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）2.5W（Ta），83W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-TDSON-8-7PG-TO263-7
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
31,511
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16192
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Infineon Technologies
38,098
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.44465
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB044N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Infineon Technologies
1,390
现货
1 : ¥69.46000
剪切带（CT）
1,000 : ¥39.40798
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
174A（Tc）
8V，10V
4.4 毫欧 @ 87A，10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 75 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。