单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Microchip TechnologyVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）袋
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tj）3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 3.9A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA3V @ 250µA
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V540 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）1W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Microchip Technology
3,518
现货
1 : ¥4.10000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tj）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
SOT-23(TO-236)
SI2318DS-T1-BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
6,578
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40652
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 3.9A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。