单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
55 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）52A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 52A，10V160 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 137µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V43 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 25 V3680 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSON-8-3SOT-223
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
11,250
现货
1 : ¥40.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥18.77393
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
SOT223-3L
IRFL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
12,770
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.07017
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
1.9A（Ta）
10V
160 毫欧 @ 1.9A，10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。