单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial Co
系列
-CoolMOS™HiPerFET™, Ultra X3OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V200 V250 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22.4A（Tc）30A（Tc）80A（Tc）88A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 20A，10V10.7 毫欧 @ 88A，10V60 毫欧 @ 15A，10V150 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4V @ 270µA4.5V @ 500µA4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V86 nC @ 10 V87 nC @ 10 V88 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1450 pF @ 25 V2340 pF @ 100 V5810 pF @ 30 V7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
83W176W（Tc）195.3W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO263-3TO-220FTO-263AA（IXFA）
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R150CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Infineon Technologies
1,192
现货
1 : ¥49.01000
剪切带（CT）
1,000 : ¥25.31640
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
22.4A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 9.3A，10V
4.5V @ 900µA
86 nC @ 10 V
±20V
2340 pF @ 100 V
-
195.3W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
7,748
现货
1 : ¥64.53000
剪切带（CT）
1,000 : ¥36.61714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
88A（Tc）
10V
10.7 毫欧 @ 88A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
P-CHANNEL MOSFET,TO-220F
MCPF80P06Y-BP
P-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Micro Commercial Co
8,961
现货
1 : ¥17.90000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
10 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±18V
5810 pF @ 30 V
-
83W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO-263AB
IXFA30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
Littelfuse Inc.
171
现货
1,050
工厂
1 : ¥56.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
30A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 15A，10V
4.5V @ 500µA
21 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
176W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA（IXFA）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。