单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
PowerMESH™STripFET™ IIITrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V80 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）17.6A（Ta），71.9A（Tc）270A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V11.2毫欧 @ 10A，10V9 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29.3 nC @ 10 V105 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
939 pF @ 25 V4850 pF @ 40 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），104W（Tc）140W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
10-PowerSOH2PAKPowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8PowerSO-10 裸露底部焊盘TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STMicroelectronics
391
现货
1 : ¥44.91000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.20134
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2.5A（Tc）
10V
9 欧姆 @ 1.3A，10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
H2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,140
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36175
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerPAK_SO-8_Single
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.16284
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17.6A（Ta），71.9A（Tc）
-
11.2毫欧 @ 10A，10V
2.6V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
4850 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。