单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Micro Commercial CoonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)9A(Tc)12.4A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 13A,10V32 毫欧 @ 7A,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
38 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V1006 pF @ 15 V3000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)2.5W(Ta),104W(Tc)2.5W(Ta),4.2W(Tc)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)8-SOICSOT-23
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
39,029
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.24724
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Vishay Siliconix
41,704
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.29218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Tc)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1006 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-PQFN
FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
onsemi
5,396
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.01156
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12.4A(Ta),60A(Tc)
6V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。