单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）230mA（Ta）5.8A（Ta）60A（Tc）100A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V3V，10V4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.45 毫欧 @ 50A，10V1.6 毫欧 @ 25A，10V2.2 毫欧 @ 28A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V3.5 欧姆 @ 230mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.4V @ 26µA1.5V @ 1mA2V @ 250µA2.3V @ 250µA3.3V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 10 V9.2 nC @ 10 V53 nC @ 10 V104 nC @ 10 V625 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 25 V50 pF @ 25 V386 pF @ 15 V4230 pF @ 30 V8125 pF @ 30 V22000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）360mW（Ta）720mW（Ta）3W（Ta），188W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-SOT23PG-TDSON-8 FLPowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
84,955
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48227
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 230mA，10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
211,325
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
21,017
现货
423,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
12,151
现货
1 : ¥19.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.74886
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC014N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Infineon Technologies
9,473
现货
1 : ¥29.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥13.63264
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
1.45 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,348
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.04774
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.6 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
625 nC @ 10 V
±12V
22000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。