单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）14A（Ta），82A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 40A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.8V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V2700 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
280mW（Tj）3W（Ta），100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-WSON-8-2SC-70-3（SOT323）
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
18,202
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
4,000 : ¥10.01923
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），82A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
45,844
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28770
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。