单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Tc）40A（Tc）50A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.95 毫欧 @ 25A，10V3.1 毫欧 @ 15A，10V3.5 毫欧 @ 15A，10V1.05 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V65 nC @ 10 V95 nC @ 10 V585 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
666 pF @ 50 V2730 pF @ 15 V3545 pF @ 15 V20000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），52W（Tc）5W（Ta），54W（Tc）5.2W（Ta），69W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR466DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
20,760
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84830
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Tc）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
2730 pF @ 15 V
-
5W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,922
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.18853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.95 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
20000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
41,223
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.8A（Tc）
6V，10V
1.05 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
666 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8
SIR464DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,816
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.64060
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3545 pF @ 15 V
-
5.2W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。