单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 1.3A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 3 V150 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
77,735
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.3A（Ta）
4.5V，10V
180 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±25V
150 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN2005LP4K-7
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Diodes Incorporated
29,668
现货
1,503,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85785
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
900mV @ 100µA
-
±10V
41 pF @ 3 V
-
400mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。