单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
系列
AlphaSGT™Dual Cool™, PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.5A（Ta）47A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.99 毫欧 @ 36A，10V8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V206 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2500 pF @ 50 V14765 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）3.3W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）8-SOIC
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
AOSP66920
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
38,878
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26708
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-PQFN TOP
FDMS7650DC
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
onsemi
10,976
现货
12,000
工厂
1 : ¥44.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥21.70885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
47A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.99 毫欧 @ 36A，10V
2.7V @ 250µA
206 nC @ 10 V
±20V
14765 pF @ 15 V
-
3.3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。