单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-EOptiMOS™-5PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）13.2A（Tc）34A（Tc）90A（Tc）90A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V5.7 毫欧 @ 80A，10V68 毫欧 @ 15A，10V134 毫欧 @ 4A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 29µA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.2 nC @ 10 V36.7 nC @ 10 V52 nC @ 10 V55 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 5 V1480 pF @ 50 V2500 pF @ 30 V2520 pF @ 30 V2650 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）71W（Tc）150W（Tj）202W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-33PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 8 x 8SOT-23-3（TO-236）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
17,043
现货
1 : ¥13.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.43256
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.2A（Tc）
4.5V，10V
134 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT 23-3
BVSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
117,682
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67976
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
2.2 nC @ 10 V
±20V
36 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IAUZ40N06S5L050ATMA1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Infineon Technologies
4,606
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.36760
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tj）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 29µA
36.7 nC @ 10 V
±16V
2500 pF @ 30 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
PowerPAK 8 x 8
SIHH068N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
673
现货
1 : ¥64.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥34.19308
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
34A（Tc）
10V
68 毫欧 @ 15A，10V
5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±30V
2650 pF @ 100 V
-
202W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
onsemi
13,895
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.55317
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
5.7 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2520 pF @ 30 V
-
150W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。