单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
MDmesh™ II PlusOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V860 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 49µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 100 V4400 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
48W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7PowerFlat™（5x6）HV
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
15,600
现货
1 : ¥20.19000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.78018
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8PowerVDFN
STL9N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.20523
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
4.8A（Tc）
10V
860 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
48W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）HV
8-PowerVDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。