单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）510mA（Ta）6.8A（Ta）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21.5 毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 6.5A，4.5V990 毫欧 @ 100mA，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V7.1 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27.6 pF @ 16 V39 pF @ 3 V493.5 pF @ 15 V647 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）400mW（Ta）800mW1.42W（Ta）
供应商器件封装
8-SOSOT-23-3X2-DFN0806-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SBR 3-DFN
DMN2990UFA-7B
MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Diodes Incorporated
31,975
现货
5,690,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.98502
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
510mA（Ta）
1.2V，4.5V
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
27.6 pF @ 16 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN32D2LFB4-7
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Diodes Incorporated
173,276
现货
939,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96974
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300mA（Ta）
1.8V，4V
1.2 欧姆 @ 100mA，4V
1.2V @ 250µA
-
±10V
39 pF @ 3 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
8 SO
DMG4496SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
18,106
现货
37,500
工厂
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥0.77578
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
21.5 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
10.2 nC @ 10 V
±25V
493.5 pF @ 15 V
-
1.42W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
DMN2024U-7
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
7,440
现货
12,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86674
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.8A（Ta）
1.8V，4.5V
25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
900mV @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
±10V
647 pF @ 10 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。