单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)8A(Ta),50A(Tc)9.4A(Ta),58A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17.5 毫欧 @ 20A,10V228 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.3 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
335 pF @ 75 V3369 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1.3W(Ta)1.5W(Ta),107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
PowerDI5060-8PowerDI5060-8(UX 类)SOT-223-4
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI5060 UX
DMTH15H017LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Diodes Incorporated
3,498
现货
1 : ¥14.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.61700
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
8A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
17.5 毫欧 @ 20A,10V
2.6V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3369 pF @ 75 V
-
1.5W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
SOT-223-4
FDT86246L
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
onsemi
14,376
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.05262
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2A(Ta)
4.5V,10V
228 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 75 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
PowerDI5060-8
DMT15H017LPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Diodes Incorporated
1,461
现货
5,000
工厂
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.59477
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
9.4A(Ta),58A(Tc)
4.5V,10V
17.5 毫欧 @ 20A,10V
2.6V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3369 pF @ 75 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。