单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 3A，4.5V200 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 25 V1465 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta），5.435W（Tc）1W（Ta）
供应商器件封装
SOT-223TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRFL4310TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Infineon Technologies
14,876
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.17650
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
10V
200 毫欧 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-236AB
PMV30XPEAR
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
27,934
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98494
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A（Ta）
2.5V，4.5V
34 毫欧 @ 3A，4.5V
1.25V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±12V
1465 pF @ 10 V
-
490mW（Ta），5.435W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。