单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）2.8A（Ta）3A（Ta）4A（Ta）39A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.5 毫欧 @ 10A，10V15.6 毫欧 @ 40A， 10V30 毫欧 @ 4A，4.5V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V900 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V16.7 nC @ 10 V36 nC @ 10 V37 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-8V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V175 pF @ 16 V476 pF @ 10 V1080 pF @ 50 V2040 pF @ 50 V4000 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
550mW（Ta）660mW（Ta）800mW（Ta）1.5W（Ta）32W（Tc）59W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）SOT-23-3TUMT3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
180,457
现货
807,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
626,838
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79551
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
955,136
现货
435,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32203
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TUMT3
RAF040P01TCL
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Rohm Semiconductor
18,898
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47982
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
37 nC @ 4.5 V
-8V
4000 pF @ 6 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
8-HSMT
RQ3P300BHTB1
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
14,321
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.62359
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
39A（Tc）
6V，10V
15.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 50 V
-
32W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
8-HSMT
RH6P040BHTB1
NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
5,435
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.55040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
6V，10V
15.6 毫欧 @ 40A， 10V
4V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 50 V
-
59W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。