单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A(Ta)38A(Ta),100A(Tc)39A(Ta),58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.05 毫欧 @ 30A,10V5 毫欧 @ 30A,10V160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 4.5 V10.4 nC @ 10 V59 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
162 pF @ 10 V760 pF @ 12 V4200 pF @ 12 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)2.5W(Ta),28W(Tc)2.5W(Ta),96W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-7SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
174,401
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20587
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.3A(Ta)
2.7V,4.5V
160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Infineon Technologies
18,422
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.21050
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
38A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.05 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 12 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Infineon Technologies
20,538
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.84352
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
39A(Ta),58A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 12 V
-
2.5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。