单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33.5A（Tc）286A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 25A，10V60 毫欧 @ 16.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V232 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2910 pF @ 25 V17140 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），155W（Tc）340W（Tc）
供应商器件封装
LFPAK88（SOT1235）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
SOT-1235TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R9-80SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥47.86000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.29366
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
286A（Tc）
10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
3.6V @ 1mA
232 nC @ 10 V
±20V
17140 pF @ 40 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
TO-263
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥23.15000
剪切带（CT）
800 : ¥13.99858
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33.5A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 16.75A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
2910 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），155W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。