单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
NexFET™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）30A（Ta）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V21.8 毫欧 @ 15A，10V1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2V @ 1mA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
82 pF @ 10 V3950 pF @ 10 V4420 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）2.8W（Ta），108W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C175°C
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）DPAK+SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
64,101
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27357
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
24,033
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76809
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4V，10V
1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
2V @ 1mA
3 nC @ 10 V
+20V，-16V
82 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5,921
现货
1 : ¥9.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.79990
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta）
6V，10V
21.8 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 1mA
80 nC @ 10 V
+10V，-20V
3950 pF @ 10 V
-
68W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。