单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSIX-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）6A（Ta）48A（Tc）60A（Ta）120A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 25A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4.7 毫欧 @ 30A，10V9.7 毫欧 @ 15A，4.5V42 毫欧 @ 5A，10V70 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.4V @ 200µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V110 nC @ 10 V160 nC @ 10 V450 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
336 pF @ 25 V560 pF @ 15 V2040 pF @ 20 V5640 pF @ 10 V6490 pF @ 50 V23600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），132W（Tc）1W（Ta）1.08W（Ta）69W（Tc）157W（Tc）278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）SOT-23-3SOT-23FTO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
101,277
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
9,094
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
48A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 15A，4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
43,399
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.84916
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Ta）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 30A，10V
2.1V @ 1mA
160 nC @ 10 V
+10V，-20V
5640 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
24,292
现货
3,108,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87268
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
336 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263 (D2Pak)
SQM40041EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
1,288
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
800 : ¥13.38699
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
450 nC @ 10 V
±20V
23600 pF @ 25 V
-
157W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
SUM70042E-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Vishay Siliconix
1,929
现货
1 : ¥23.56000
带
带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Tc）
7.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6490 pF @ 50 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。