单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）3.1A（Tc）4.3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 4.3A，4.5V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.9 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V14.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
405 pF @ 10 V570 pF @ 16 V880 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
860mW（Ta），1.6W（Tc）1.25W（Ta）1.3W（Ta）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
186,868
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI2301-TP
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Micro Commercial Co
30,133
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
14.5 nC @ 4.5 V
±8V
880 pF @ 6 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2244TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
14,689
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84896
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
2.5V，4.5V
54 毫欧 @ 4.3A，4.5V
1.1V @ 10µA
6.9 nC @ 4.5 V
±12V
570 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。