单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）3.1A（Tc）14A（Ta），64A（Tc）70A（Tc）381A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 50A，10V6 毫欧 @ 11.5A，10V8.5 毫欧 @ 14A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V190 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V55 nC @ 10 V64.2 nC @ 10 V94 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V425 pF @ 30 V2826 pF @ 15 V3234 pF @ 15 V8400 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）1.56W（Tc）2.4W（Ta），50W（Tc）2.8W（Ta）188W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PDFN（3.1x3.1）PG-TDSON-8-6POWERDI3333-8SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
626,838
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79551
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2309CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
38,055
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11855
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.1A（Tc）
4.5V，10V
190 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
425 pF @ 30 V
-
1.56W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
8,314
现货
1 : ¥26.60000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.44127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
381A（Tc）
4.5V，10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
94 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
188W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMP3007SFG-7
MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Diodes Incorporated
7,626
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.69862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
64.2 nC @ 10 V
±25V
2826 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
10,000 : ¥6.67420
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），64A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 14A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3234 pF @ 15 V
-
2.4W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PDFN（3.1x3.1）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。