单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）28A（Ta），80A（Tc）56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 28A，10V11.3 毫欧 @ 15A，10V23 毫欧 @ 3.7A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 30µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.7 nC @ 2.5 V94 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1447 pF @ 10 V5100 pF @ 15 V6900 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPPG-SC59-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
106,324
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25816
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
1.8V，2.5V
23 毫欧 @ 3.7A，2.5V
750mV @ 30µA
4.7 nC @ 2.5 V
±8V
1447 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
HSOP8
RS1L151ATTB1
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
10,097
现货
1 : ¥22.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.02823
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
56A（Tc）
4.5V，10V
11.3 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E281BNTB1
MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Rohm Semiconductor
940
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.40370
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
28A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 28A，10V
2.5V @ 1mA
94 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。