单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）40A80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 40A，10V18.5 毫欧 @ 20A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.1V @ 300µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.56 nC @ 10 V16 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.6 pF @ 25 V1051 pF @ 50 V3900 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）43W104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）DFN3333SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFN8-VDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
44,030
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.67743
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 40A，10V
2.1V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 15 V
-
104W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMP610DL-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
6,647
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31152
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
180mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
0.56 nC @ 10 V
±30V
24.6 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
0
现货
查看交期
5,000 : ¥2.76478
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A
4.5V，10V
18.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
1051 pF @ 50 V
-
43W
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。