单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 78A，10V80 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 10 V250 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
370 pF @ 15 V5600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
950mW（Ta）330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF1407PBF
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Infineon Technologies
11,850
现货
1 : ¥21.59000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
130A（Tc）
10V
7.8 毫欧 @ 78A，10V
4V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-23-3
ZXMP3F30FHTA
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
2,900
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25723
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.8A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 15 V
-
950mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。