单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）41A（Ta），235A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 50A，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26 pF @ 10 V50 pF @ 25 V4300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Tc）370mW（Ta）3.8W（Ta），128W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）SOT-23-3SST3
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
384,705
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C426NT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
onsemi
2,186
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.31817
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41A（Ta），235A（Tc）
10V
1.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
7-PDIP Less Pin 6
RYC002N05T316
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
28,272
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66793
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
350mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。