单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A（Ta）22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 10A，10V29 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2V @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V41 nC @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）2.5W（Ta）
供应商器件封装
6-SON（2x2）PowerPAK® SO-8
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7852DP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,798
现货
1 : ¥19.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.90260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
16.5 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA（最小）
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
6-WDFN Exposed Pad
CSD17571Q2
MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Texas Instruments
21,341
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
2V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
468 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。