单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），40A（Tc）17A（Tc）55A（Ta），365A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.68 毫欧 @ 46A，10V16 毫欧 @ 20A，10V90 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 2mA3.5V @ 12µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V37 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+16V，-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 25 V1700 pF @ 50 V8600 pF @ 13 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），63W（Tc）3.2W（Ta），139W（Tc）3.8W（Ta），70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）D2PAKPG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
44,977
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.29674
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 12µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,387
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
800 : ¥5.57148
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS0D8N02P1ET1G
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
onsemi
1,386
现货
3,000
工厂
1 : ¥28.08000
剪切带（CT）
1,500 : ¥14.50351
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
55A（Ta），365A（Tc）
4.5V，10V
0.68 毫欧 @ 46A，10V
2V @ 2mA
52 nC @ 4.5 V
+16V，-12V
8600 pF @ 13 V
-
3.2W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。