单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
540 毫欧 @ 900mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V180 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)2W(Ta),3.1W(Tc)
供应商器件封装
SOT-223SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
382,821
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27816
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT223-3L
IRFL110TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
3,914
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.43509
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。