单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA(Ta)3.2A(Ta)3.8A(Ta)15A(Ta)20A(Ta)26A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 30A,10V8.5 毫欧 @ 5A,4.5V11 毫欧 @ 5A,4.5V23.9 毫欧 @ 5A,4.5V62 毫欧 @ 4.2A,4.5V72 毫欧 @ 3.2A,4.5V620 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V44 nC @ 8 V47 nC @ 8 V330 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21.3 pF @ 10 V487 pF @ 20 V634 pF @ 6 V655 pF @ 10 V1860 pF @ 10 V2475 pF @ 6 V13980 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
317mW(Ta),8.33W(Tc)360mW(Ta),2.7W(Tc)800mW(Ta)2W(Ta)2.1W(Ta)2.9W(Ta)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
6-WSON(2x2)DFN1010D-3SOT-23-3SOT-883TO-263(D2PAK)U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘SC-101,SOT-883TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
428,059
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.56155
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.8A(Ta)
1.8V,4.5V
62 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB65UPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
70,141
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.64424
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.2A(Ta)
1.2V,4.5V
72 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 6 V
-
317mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
6-WSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
44,551
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.38533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
20A(Ta)
1.8V,4.5V
23.9 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WSON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMP1009UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Diodes Incorporated
72,230
现货
177,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28290
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
15A(Ta)
1.8V,4.5V
11 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
44 nC @ 8 V
±8V
1860 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
TO-263 (D2Pak)
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
1,018
现货
1 : ¥28.73000
剪切带(CT)
800 : ¥17.33640
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
13980 pF @ 20 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SC-101 SOT-883
PMZ600UNEZ
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
9,230
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.28755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
600mA(Ta)
1.2V,4.5V
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
360mW(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
U-DFN2020-6 Type F
DMP1005UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.26760
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
26A(Tc)
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2475 pF @ 6 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。