单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）530mA（Ta）2.5A（Ta）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V70 毫欧 @ 2.5A，10V1.2 欧姆 @ 500mA，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 1mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 5 V10.2 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V165 pF @ 10 V510 pF @ 25 V808 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）750mW（Ta）1W（Ta）1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTSMT3
封装/外壳
SC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
836,341
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
432,029
现货
3,480,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41722
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2325DS-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Vishay Siliconix
18,184
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28218
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
530mA（Ta）
6V，10V
1.2 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RSR025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
428
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4V，10V
70 毫欧 @ 2.5A，10V
2.5V @ 1mA
4.1 nC @ 5 V
20V
165 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。