单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）7.3A（Ta）21A（Ta），34A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.88 毫欧 @ 20A，10V6.2 毫欧 @ 20A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V105 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.2 nC @ 4.5 V17.2 nC @ 10 V45 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
808 pF @ 15 V969 pF @ 30 V1650 pF @ 30 V9100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）1.8W（Ta）5W（Ta），43W（Tc）104W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）PowerPAK® SO-8SOT-23-3TSOT-23-6
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR638ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,994
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.40154
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
0.88 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
+20V，-16V
9100 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMG2305UXQ-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
2,043
现货
15,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62410
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON7262E
MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
21,223
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.06120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
6.2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 30 V
-
5W（Ta），43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
AP6320x
DMP6110SVTQ-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Diodes Incorporated
5,355
现货
654,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.17165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。