单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS™ 3U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Ta）90A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 45A，10V3.6 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 45µA2.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
78 nC @ 10 V81 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5400 pF @ 10 V6300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
94W（Tc）157W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAK+PG-TO252-3-11
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Infineon Technologies
40,985
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.33145
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 90A，10V
2V @ 45µA
78 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 20 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
9,627
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.08980
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Ta）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 45A，10V
2.5V @ 500µA
81 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 10 V
-
157W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。