单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-AlphaSGT™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）6A（Ta）19.5A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.2 毫欧 @ 20A，10V68 毫欧 @ 12A，10V150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 11µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.6 nC @ 4.5 V10.3 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
346 pF @ 15 V502 pF @ 30 V2500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.12W（Ta）6.2W（Ta），89W（Tc）
供应商器件封装
PG-SOT23TO-252-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
25,993
现货
1,050,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.54106
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD66920
MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
111,460
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.98179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19.5A（Ta），70A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
6.2W（Ta），89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
BSS215PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
32,955
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.5A（Ta）
2.5V，4.5V
150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1.2V @ 11µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
346 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。