单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ P7HEXFET®SuperMESH5™TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）1.5A（Ta）2A（Tc）9A（Tc）29A（Tc）37.5A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.98 毫欧 @ 10A，10V5 毫欧 @ 15A，10V110 毫欧 @ 2.5A，10V250 毫欧 @ 930mA，4.5V750 毫欧 @ 4.5A，10V5 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 220µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V10 nC @ 10 V23 nC @ 10 V89 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+20V，-16V±20V30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
105 pF @ 100 V110 pF @ 15 V135 pF @ 15 V712 pF @ 400 V4270 pF @ 20 V6000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
420mW（Ta）540mW（Ta）3.5W（Ta），7.8W（Tc）5W（Ta），65.7W（Tc）45W（Tc）73W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICDPAKMicro3™/SOT-23PG-TO252-3PowerPAK® 1212-8SSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8STO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
77,452
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87564
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.2A（Ta）
2.7V，4.5V
250 毫欧 @ 930mA，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Vishay Siliconix
99,017
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.69246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
29A（Tc）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
195 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT 23-3
NVTR4503NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
onsemi
15,002
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69905
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
135 pF @ 15 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2N95K5
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
STMicroelectronics
5,137
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.12697
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
2A（Tc）
10V
5 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 100µA
10 nC @ 10 V
30V
105 pF @ 100 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD95R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Infineon Technologies
4,414
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.54928
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
9A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 4.5A，10V
3.5V @ 220µA
23 nC @ 10 V
±20V
712 pF @ 400 V
-
73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK 1212-8S
SISS12DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.81975
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
37.5A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
1.98 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
89 nC @ 10 V
+20V，-16V
4270 pF @ 20 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。