单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIVOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
200 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.2A（Tc）100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 50A，10V90 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 5mA4V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.6 nC @ 10 V360 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 100 V15000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）797W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5TO-3P（L）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-3PL
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Infineon Technologies
2,739
现货
1 : ¥16.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.04493
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
15.2A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 7.6A，10V
4V @ 30µA
11.6 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
432
现货
1 : ¥266.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
100A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 50A，10V
3.7V @ 5mA
360 nC @ 10 V
±30V
15000 pF @ 30 V
-
797W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3P（L）
TO-3PL
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。