单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）2A（Ta）9.3A（Tc）22A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.1 毫欧 @ 62A，10V15 毫欧 @ 9A，10V155 毫欧 @ 1A，10V228 毫欧 @ 2A，10V300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V35 nC @ 10 V48 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 25 V335 pF @ 75 V575 pF @ 25 V2783 pF @ 20 V5270 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）1W（Ta）12.5W（Tc）82W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPD2PAKSOT-223-4SOT-23-3（TO-236）TO-220AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
143,192
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70795
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
17,746
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.75532
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
22A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 9A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2783 pF @ 20 V
-
12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-223-4
FDT86246L
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
onsemi
14,991
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.05242
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2A（Ta）
4.5V，10V
228 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 75 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-220AB PKG
IRF630NPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Infineon Technologies
7,777
现货
1 : ¥9.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.3A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 5.4A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
575 pF @ 25 V
-
82W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4115TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Infineon Technologies
18,133
现货
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
800 : ¥20.15549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
195A（Tc）
10V
12.1 毫欧 @ 62A，10V
5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5270 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。