单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA(Ta)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.6 毫欧 @ 20A,10V1.6 欧姆 @ 320mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V80 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
56 pF @ 10 V2866 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
260mW(Ta),830mW(Tc)104W(Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-323
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138BKW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
253,840
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50217
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 320mA,10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SIR870ADP-T1-RE3
SIR870ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥17.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.06120
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。